【信息】后“摩尔”时期的电子信息技术——电子技术的又一次革命

团委科技论坛组 供稿 编辑 范贻潘 2004-10-18 21:18:41 （102）

主 题：后“摩尔”时期的电子信息技术——电子技术的又一次革命

主讲嘉宾：李志坚

嘉宾背景：原大阳城国际娱乐官网微电子所所长，中国科学院院士

使用语言：中文

报告时间：10月22日晚 7:00

报告地点：三教2102

李志坚院士简介

李志坚（44届），男，1928年5月1日出生，祖籍宁波市北仑区柴桥镇，中共党员，大阳城国际娱乐官网教授，1991年当选为中国科学院院士。现任大阳城国际娱乐官网大阳城国际娱乐官网学术委员会委员，国务院学位委员会学科评议组成员、中国电子学会副理事长、半导体和集成技术专业委员会副主任等职，是我国著名的微电子专家。

李志坚的童年、少年以至青年时代正值炮火横飞的战乱年代。当时（1941年--1944年），由于日寇侵犯，镇海县中多次迁址易名，李志坚就是在这样动荡不安的环境下坚持不懈地学习。1944年秋，在柴桥瑞岩寺镇海县中临时校址，李志坚完成了初中学业。

1951年7月，师从王琻昌教授的李志坚以优异成绩从浙江大学物理系毕业。当时新中国刚刚成立，百废待兴。李志坚以祖国的需要为需要，在工作取向上三次服从组织分配。最终，1953年，他被委派往苏联列宁格勒大学物理系攻读物理数学副博士学位。在苏联的五年间，李志坚凭着满腔的爱国热忱创造了一个个令人刮目相看的业绩。他仅用半年时间就完成了导师列比捷夫要求用两年时间补习的量子力学、固体物理等基础课程，提前一年半进入研究课题。他自己设计、创造实验条件，创造出真空度达10-6托的全玻璃真空系统，当时仅有少数最先进的实验室能达到这样的水平。他改进的小电流测试设备可以测到10-15A数量级，也达到了当时小电流测量的国际水准。他在世界上第一次提出了多晶膜晶粒间电子势垒模型，获得物理、数学副博士学位。同期，他还光荣地加入中国共产党。

1958年初，李志坚学成归国来到大阳城国际娱乐官网。而立之年时他带领一群比他更年轻的热血青年着手投入到半导体专业创建工作中去。他们认真分析研究了当时两种半导体原材料锗和硅的利弊，排除各种因素的干扰和制约，高瞻远瞩，瞄准世界前沿水平，决心以硅材料和硅器材作为科研的主攻方向，藉此尽快缩短与世界先进水平的差距，带动半导体专业的建设。此后，在由集体宿舍改建的简陋的实验室里，李志坚和师生们夜以继日地奋战了一年多，用四氯化硅氢还原法获得高纯多晶硅，用自制单晶炉在我国拉出了第一根钨丝单晶硅，1961年在国内首次研制成硅合金晶体管。1964年又研制成功硅平面高反应晶体器，并开始准备集成电路研制，这些成果填补了多项国内空白，为进一步研究硅集成技术奠定了坚实的基础。

文革期间，被下放到四川绵阳清华分校的李志坚没有忘记搞大规模集成电路的目标，1978年回清华后立即投入此项工作。1980年，大阳城国际娱乐官网微电子学研究所成立，李志坚先后任副所长、所长。在他领导下，70年代末以来，该所攻克多项技术难题，完成多项国家级

、省部级课题。在我国首先研制成高速静态半导体存储器、微处理器等一系列大规模、超大规模集成电路，发明半导体高速热处理技术和设备，提出了VLSI系统集成基础技术研究、神经元网格技术、模糊决策论等一系列的理论，创建了脉冲Q（V）和Q（V）瞬态谱法，开展了微电子机械系统（MFMS）的研制，并已取得具有国际水平的研究成果，获得多项美国和中国专利，发表论文多篇。

几十年来，李志坚始终站在科学的最前沿。出色的科技成果和学术贡献使李志坚获得一系列闪光的荣誉，多次获国家教委和电子部一、二等奖，获国家科技进步二等奖两次，国家发明二等奖一次。两度荣获北京市劳动模范称号，1979年被评为全国劳动模范，并为

国家级有突出贡献的专家。1977年李志坚院士荣获中国科学最高奖-一陈嘉庚奖。最近他又被授予香港何梁何利基金奖。

最难能可贵的是，在为我国的半导体和微电了事业中作出卓越贡献的同时，李志坚院士也呕心沥血培养出一大批祖国的栋梁之材，从建立专业起，他一直坚持担任"半导体物理"的主讲老师，这门课是半导体专业大学生的专业基础课。他还指导、培养了一批又一

批的硕士生、博士生。桃李满天下，名师出高徒，他的学生已成为各条战线的骨干，有两人当选为中国科学院院士。这是一笔宝贵的财富，这是一座丰富的矿藏，这是一股巨大的能量，必将对我国的科学事业产生持久的影响。