存储器芯片未来的发展机会（Flash Memory at a Crossroad: Challenges & Opportunities paving the way for the TERA-BIT ERA）

【时间】：2015年5月28日下午2点

【地点】：微电子所312

【演讲人简介】：Dr. Khandker Quader

Khandker Quader 博士从事半导体存储器行业超过30年，并且多年是在闪存行业。2013年6月至2014年6月期间，任SK hynix memory solutions的总裁兼CEO,在此之前，他就职于SanDisk公司，任全球闪存部门的资深副总裁，主要负责公司的闪存研发（其中包括NAND， BiCS, 3D ReRAM, &其它新型存储技术的开发等），主管存储器技术开发，存储器设计&CAD，制造厂R&D，产品/测试工程，产品可靠性以及先进存储器系统解决方案等。他同时也是SanDisk公司的核心管理层，负责公司的未来存储器产品以及存储器解决方案的研发策略&战略规划的具体实施。

Quader博士在SanDisk工作长达18年，在此期间是从零建立起NAND闪存部门，为SanDisk与东芝的合作打下了很好的合作基础，同时开发出了11代业界领先的高性能与高可靠的NAND闪存产品。他所起的作用不局限于R&D研发，在MLC闪存的量产方面贡献也非常之大。他主持领导了业界第一个2位/单元、3位/单元及4位/单元的NAND产品开发与量产工作，这些研究成果与论文发表在ISSCC上，得到了业界最好的评价。

Quader博士，在SanDisk工作之前曾在IBM进行DRAM的设计工作以及在Intel从事SRAM，EPROM与特种存储器产品的设计与研发工作。

Quader博士获得MIT的电子工程与物理的双学士学位，获得Georgia Tech的电子工程硕士学位以及UC Berkeley的电子工程博士学位。